Samsung, 290 katmanlı 3D NAND belleklere geçiyor

Görünüşe göre Samsung, 3D NAND flash bellekler özelinde gaza basmaya hazırlanıyor. Koreli yayın kuruluşu Hankyung’un haberine göre Samsung, 9. Nesil V-NAND bellekleri önümüzdeki mayıs ayı itibarıyla piyasaya sürmeye hazırlanıyor. Samsung’un bu hamlesi zayıf tüketici talebi ve yüksek envanter seviyelerinin sorun olmaktan çıktığı bir döneme denk geliyor.

Samsung, 3D NAND belleklerde 290 katmana ulaşacak

Aktarılanlara göre Samsung, çok yakında 9. Nesil ve 10. Nesil V-NAND belleklerini tanıtmaya hazırlanıyor. Teknoloji devinin dokuzuncu nesil bellek ürünleri 2022’de piyasaya sürülen 236 katmanlı 8. Nesil V-NAND bellekleri bir adım daha ileriye taşıyarak katman sayısını 290 seviyesine yükseltiyor. Samsung’un daha fazla katmanı istifleme tekniklerindeki iyileştirmelerle elde ettiği bildiriliyor. Bununla birlikte Samsung şu ana kadar SK Hynix ve Kioxia gibi rakiplerinin çok önünde gibi görünüyor. Zira Samsung’un 2025 yılında 430 katmanlı 10. Nesil V-NAND belleklere geçeceği belirtiliyor. Bu, nesilden nesilde yüzde 48’lik bir artış anlamına geliyor.

Samsung, şimdilik bu alanda önde gibi görünse de Kioxia, SK Hynix, Micron Technology ve YMTC gibi son derece güçlü rakipleri bulunuyor. 3D NAND üreticileri genel olarak 2030’a kadar 1000 katmanlı belleklere ulaşılacağını düşünüyor. Öte yandan NAND ürünlerine olan talep de son aylarda ciddi oranda artmış durumda. Elbette bu artıştaki ana etmen yüksek hızlı ve yüksek kapasiteli depolama gerektiren yapay zeka. Yapay zeka donanımlarına ve ekosisteme olan talep yüksek oldukça bu belleklere yönelik talebin de güçlü kalması bekleniyor.

Bir yanıt yazın

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir

xxx